65納米/55納米
65納米/55納米
技術簡介
中芯國際65納米/55納米邏輯技術具有高性能，節能的優勢，並實現先進技術成本的優化及設計成功的可能性。此65納米/55納米技術的工藝元件選擇包含低漏電和超低功耗技術平台。此兩種技術平台都提供三種閾值電壓的元件以及輸入/輸出電壓為1.8V，2.5V和3.3V的元件，而形成一個彈性的製程設計平台。此技術的設計規則、規格及SPICE模型已完備。55納米低漏電/超低功耗技術和65納米低漏電技術重要的單元庫已完備。
特點
工藝組件選擇
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標準工藝元件選擇 |
55 納米低漏電器件 |
65 納米低漏電器件 | ||||||||||||||||
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核心器件 （1.2V） |
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輸入輸出器件 |
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記憶體 |
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應用產品
中芯國際55納米邏輯產品主要面向高性能、低功耗的應用場景，如移動應用和無線應用。
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移動應用
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無線應用
其他工藝技術
