上海  [2003-05-20]

（中國上海訊,2003年5月20日）業界領先的高密度SoC 植入記憶體解決方案提供商MoSys (納斯達克股票標識：MOSY)和中國第一家先進的半導體代工廠中芯國際積體電路製造有限公司（中芯國際）共同宣佈，MoSys在中芯國際的0.18微米標準邏輯工藝中，已完成1T-SRAM記憶體技術的矽驗證。該製造里程碑的奠定，使中芯國際客戶可以更有信心地選擇MoSys的1T-SRAM技術，以滿足他們對系統級晶片（SoC）設計的存儲要求。
“中芯國際對MoSys的1T-SRAM記憶體的矽驗證，可以使我們的客戶採用植入存儲技術，而且該技術已經成功地通過了製造測試。這將減小設計風險，提高複雜的SoC設計能力”，中芯國際市場及行銷中心副總裁宋建邁說，“我們與MoSys的合作，為客戶提供從設計到生產的直接路徑，通過採用MoSys獨特的高密度存儲結構來製造系統級的器件。
“MoSys的1T-SRAM植入存儲技術使中芯國際的客戶能在同一晶片上達到高存儲密度和邏輯的系統級的整合，”MoSys的副總裁兼知識產權部的總經理Mark-Eric Jones說，“我們期待與中芯國際，及其客戶與合作夥伴共事。”

中芯國際概述：
中芯國際是中國第一家量產8英寸，0.25微米，0.18微米及更先進工藝的晶片代工廠。中芯國際於2000年4月註冊於開曼群島，總部位於上海，為客戶提供全方位的服務，包括積體電路設計服務，光掩膜生產，晶片製造和測試服務。更多資訊，請流覽公司網站：www.smics.com。

MoSys和1T-SRAM概述
MoSys(納斯達克股票標識：MOSY)成立於1991年，為半導體廠商提供新型存儲技術的開發、授權及出售。MoSys的1T-SRAM專利技術彙集了其他存儲技術無法比擬的優點，包括高密度、低功耗、高速度和低成本。即使使用在同一標準邏輯工藝中， 一個1T-SRAM記憶體電晶體的密度遠高於四個 至六個傳統的SRAM電晶體的密度。
1T-SRAM技術可提供類似於傳統SRAM所熟悉之無須刷新的介面和任意位址訪問週期的高性能。此外，與傳統的SRAM相比，該技術還降低4倍的操作功耗，為系統級晶片設計植入更大容量的記憶體創造了理想的條件。得到MoSys授權的多家公司已經在50,000,000多片晶片上採用了1T-SRAM植入技術，而在矽工藝和產品上的廣泛應用，證明瞭其優良的工藝性。MoSys總部位於1020 Stewart Drive, Sunnyvale, California 94085。更多資訊，請流覽網站：http://www.mosys.com.