上海 [2010-05-24]
SiWare Memory, SiWare Logic, SiPro MIPI and Intelli DDR夥伴關係將中芯65納米低漏電工藝至臻完善
[美國加利福尼亞州弗里蒙特和中國上海] –2010年5月24日–備受半導體產業信賴的IP供應商Virage Logic 公司 (NASDAQ:VIRL)和中國最先進的半導體製造商中芯國際積體電路有限公司（中芯國際，紐約證券交易所交易代碼：SMI，香港聯交所交易代碼：0981.HK）今天宣佈其長期合作夥伴關係擴展到包括65納米（nanometer）的低漏電（low-leakage）工藝技術。根據協定條款，系統級晶片（SoC）設計人員將能夠使用Virage Logic開發的，基於中芯國際65納米低漏電工藝的SiWare?記憶體編譯器，SiWare?邏輯庫， SiPro? MIPI矽知識產權(IP)和Intelli? DDR IP。這一聯合協議是Virage Logic與業界領先的代工廠業務擴展戰略的一個組成部分，也是中芯國際承諾為其客戶提供一個完整的IP解決方案的兌現。
“作為中國首屈一指的代工廠，我們與Virage Logic公司拓展合作夥伴關係將使中芯國際能夠提供更多業界領先的65納米低漏電工藝的半導體IP，這不僅能滿足來自中國本地的系統級晶片開發人員的需要，亦將助益我們開發全球半導體市場。”中芯國際資深副總裁兼首席商務官季克非表示。“目前我們已經有一些客戶正積極利用中芯國際的65納米低漏電工藝及Virage Logic公司相關IP進行晶片專案的開發。我們期待持續發展與Virage Logic的合作關係，不斷滿足日益增長的市場需求。”
“我們很高興能夠在65納米低漏電工藝方面擴大與中芯國際的夥伴關係。Virage Logic開發的業界領先的IP產品將能夠讓更多的客戶選擇中芯國際作為他們65納米製造的主要供應商，” Virage Logic公司市場和銷售執行副總裁Brani Buric表示。“作為代工廠贊助的IP產品計畫之一，我們的SiWare?記憶體編譯器和SiWare?邏輯庫將免費提供給終端用戶使用，中芯國際對此充分肯定其戰略意義。除此之外我們的SiPro? MIPI和Intelli? DDR標準高速介面IP也為用戶提供了一個經驗證的解決方案，使得各地的設計師都能在他們的65納米低漏電設計中選擇世界一流的IP。”
關於 Virage Logic的SiPro? MIPI IP
SiPro MIPI DSI(顯示串列介面)，CSI(攝像頭串列介面)控制器以及物理層D-PHY，在保證良率的同時，提供性能、面積、功耗的優化方案。SiPro為移動設備攝像頭和顯示介面提供無縫連接方案，並已通過系統級驗證。該IP方案被大量應用於移動SoC，已在65低電壓工藝經過產品驗證，並可用於40低電壓工藝。
關於 Virage Logic的 Intelli? DDR介面IP解決方案
Intelli DDR記憶體介面產品擁有為DDR1,DDR2,DDR3提供最好性能，最低觸發時間的智慧記憶體控制器；最低功耗，最大帶寬的移動SDR,移動DDR,低功耗DDR(LPDDR)以及LPDDR2存儲控制器；並為DRAM提供高速、全數位DDR SDRAM PHY+DLL方案以及先進的高可配置型DDR IO。與類比方案相比，全數位的Intelli PHY+DLL方案最多可節省25%的功耗，並縮小多達20%的面積，為高性能、低功耗應用提供優化的硬核方案。
關於Virage Logic的SiWare?記憶體 和SiWare? 邏輯產品
於2007年10月首次推出的65nm Siware產品線，可滿足先進工藝物理IP日益複雜的設計要求，目前在40nm工藝已有超過40家客戶。該產品線能針對先進工藝，提供優化的功耗方案，最大程度降低靜態功耗和動態功耗。Siware高密度存儲編譯器能產生最小面積的記憶體。Siware高速存儲編譯器能幫助設計者解決最具挑戰的關鍵路徑要求。工藝極限變數的編譯時間選擇，省電模式，讀寫餘量的擴展，超低工作電壓，創新的at-speed測試，能幫助SOC設計者配置出最優化方案。
所有SiWare記憶體皆完全支援Virage Logic公司的STAR存儲系統。STAR存儲系統為該公司的旗艦嵌入式存儲測試和修復系統，可並用於Virage邏輯存儲以及內部開發或者其他商業用途。為便利修復，該STAR存儲系統使用代工廠開發的存儲eFUSE以用於修復署名紀錄的存儲。STAR存儲系統採用專為先進工藝量身定制的測試演算法，以提高產品可靠性及加速產品的高良率週期。
SiWare邏輯產品線針對高性能，高密度需求，特別量身定制高性能，高密度標準單元庫。該單元庫包含超過1,100個基礎單元，提供多通道配置以及不同的極限變數，能快速達到時序終止，同時不影響面積和功耗。
Virage Logic 的邏輯庫通過對更嚴格的設計規則、更高的可製造性以及更好的電遷移可靠性標準的不斷追求而達到良率的最大化。通過統一均衡的版圖設計，使用非最小化尺寸器件使得局部的變化達到最小，並且其特性可被代工廠相應的抽取環境所精確反映。比如，能夠反映出阱鄰近效應，相鄰電路擴散間距等DFM效應。
供應情況
Virage Logic的SiWare?記憶體和SiWare? 邏輯產品將在2010年第三季度上市。在代工廠IP贊助方案的支持下，Virage Logic 將直接授權給代工廠的終端客戶使用。
Virage Logic的SiPro? MIPI 和Intelli? DDR 介面IP將在2010年第三季度初上市。
關於Virage Logic
Virage Logic是一家為複雜電路設計提供半導體矽知識產權（IP）的領先供應商。該公司擁有高度差異化的產品組合，包括處理器解決方案、介面IP解決方案、嵌入式SRAM和NVM、嵌入式測試和良率優化解決方案、邏輯庫及記憶體開發軟體。Virage Logic是備受半導體產業信賴的IP合作夥伴，有超過400家晶圓代工廠、IDM和無廠IC客戶採用其方案以達到更高性能、更低功耗、更高密度、更優化良率，縮短客戶的產品上市時間以及量產時間。欲得知更多資訊，請流覽http://www.viragelogic.com。
Virage Logic媒體聯絡:
Sabina Burns
Virage Logic Corporation
510-743-8115
sabina.burns@viragelogic.com
關於中芯國際
中芯國際積體電路製造有限公司（“中芯國際”，紐約證交所股票代碼：SMI，香港聯合交易所股票代碼：981），是世界領先的積體電路晶片代工企業之一，也是中國內地規模最大、技術最先進的積體電路晶片代工企業。中芯國際向全球客戶提供0.35微米到45納米晶片代工與技術服務。中芯國際總部位於上海，在上海建有一座300mm 晶片廠和三座200mm 晶片廠。在北京建有兩座300mm 晶片廠,在天津建有一座200mm 晶片廠，在深圳有一座200mm 晶片廠在興建中，在成都擁有一座封裝測試廠。中芯國際還在美國、歐洲、日本提供客戶服務和設立行銷辦事處，同時在香港設立了代表處。此外，中芯代成都成芯半導體製造有限公司經營管理一座200mm 晶片廠，也代武漢新芯積體電路製造有限公司經營管理一座300mm 晶片廠。詳細資訊請參考中芯國際網站 http://www.smics.com
安全港聲明（根據1995私人有價證券訴訟改革法案）
本次新聞發佈可能載有（除歷史資料外）依據1995美國私人有價證券訴訟改革法案的“安全港”條文所界定的「前瞻性陳述」。該等前瞻性陳述乃根據中芯對未來事件的現行假設、期望及預測而作出。中芯使用「相信」、「預期」、「打算」、「估計」、「期望」、「預測」或類似的用語來標識前瞻性陳述，儘管並非所有前瞻性聲明都包含這些用語。這些前瞻性聲明涉及可能導致中芯實際表現、財務狀況和經營業績與這些前瞻性聲明所表明的意見產生重大差異的已知和未知的重大風險、不確定因素和其他因素，其中包括當前全球金融危機的相關風險、未決訴訟的頒令或判決，和終端市場的財政穩定。
投資者應考慮中芯呈交予美國證券交易委員會（「證交會」）的檔資料 ，包括其於二零零九年六月二十二日以20-F表格形式呈交給證交會的年報，特別是在「風險因素」和 「管理層對財務狀況和經營業績的討論與分析」部分，並中芯不時向證交會(包括以6-K表格形式)，或聯交所呈交的其他檔。其他未知或不可預測的因素也可能對中芯的未來結果，業績或成就產生重大不利影響。鑒於這些風險，不確定性，假設及因素，本次新聞發佈中討論的前瞻性事件可能不會發生。請閣下審慎不要過分依賴這些前瞻性聲明，因其只於聲明當日有效，如果沒有標明聲明的日期，就截至本新聞發佈之日。除法律有所規定以外，中芯概不負責因新資料、未來事件或其他原因引起的任何情況，亦不擬，更新任何前瞻性陳述。
中芯國際媒體聯絡：
林學恒
中芯國際公關處
電話：+86 21 38610000-12349
郵件：Peter_LHH@smics.com
繆為夷
中芯國際公關處
電話：+8621 38610000-10088
郵件：Angela_Miao@smics.com
SiWare Memory, SiWare Logic, SiPro MIPI and Intelli DDR夥伴關係將中芯65納米低漏電工藝至臻完善
[美國加利福尼亞州弗里蒙特和中國上海] –2010年5月24日–備受半導體產業信賴的IP供應商Virage Logic 公司 (NASDAQ:VIRL)和中國最先進的半導體製造商中芯國際積體電路有限公司（中芯國際，紐約證券交易所交易代碼：SMI，香港聯交所交易代碼：0981.HK）今天宣佈其長期合作夥伴關係擴展到包括65納米（nanometer）的低漏電（low-leakage）工藝技術。根據協定條款，系統級晶片（SoC）設計人員將能夠使用Virage Logic開發的，基於中芯國際65納米低漏電工藝的SiWare?記憶體編譯器，SiWare?邏輯庫， SiPro? MIPI矽知識產權(IP)和Intelli? DDR IP。這一聯合協議是Virage Logic與業界領先的代工廠業務擴展戰略的一個組成部分，也是中芯國際承諾為其客戶提供一個完整的IP解決方案的兌現。
“作為中國首屈一指的代工廠，我們與Virage Logic公司拓展合作夥伴關係將使中芯國際能夠提供更多業界領先的65納米低漏電工藝的半導體IP，這不僅能滿足來自中國本地的系統級晶片開發人員的需要，亦將助益我們開發全球半導體市場。”中芯國際資深副總裁兼首席商務官季克非表示。“目前我們已經有一些客戶正積極利用中芯國際的65納米低漏電工藝及Virage Logic公司相關IP進行晶片專案的開發。我們期待持續發展與Virage Logic的合作關係，不斷滿足日益增長的市場需求。”
“我們很高興能夠在65納米低漏電工藝方面擴大與中芯國際的夥伴關係。Virage Logic開發的業界領先的IP產品將能夠讓更多的客戶選擇中芯國際作為他們65納米製造的主要供應商，” Virage Logic公司市場和銷售執行副總裁Brani Buric表示。“作為代工廠贊助的IP產品計畫之一，我們的SiWare?記憶體編譯器和SiWare?邏輯庫將免費提供給終端用戶使用，中芯國際對此充分肯定其戰略意義。除此之外我們的SiPro? MIPI和Intelli? DDR標準高速介面IP也為用戶提供了一個經驗證的解決方案，使得各地的設計師都能在他們的65納米低漏電設計中選擇世界一流的IP。”
關於 Virage Logic的SiPro? MIPI IP
SiPro MIPI DSI(顯示串列介面)，CSI(攝像頭串列介面)控制器以及物理層D-PHY，在保證良率的同時，提供性能、面積、功耗的優化方案。SiPro為移動設備攝像頭和顯示介面提供無縫連接方案，並已通過系統級驗證。該IP方案被大量應用於移動SoC，已在65低電壓工藝經過產品驗證，並可用於40低電壓工藝。
關於 Virage Logic的 Intelli? DDR介面IP解決方案
Intelli DDR記憶體介面產品擁有為DDR1,DDR2,DDR3提供最好性能，最低觸發時間的智慧記憶體控制器；最低功耗，最大帶寬的移動SDR,移動DDR,低功耗DDR(LPDDR)以及LPDDR2存儲控制器；並為DRAM提供高速、全數位DDR SDRAM PHY+DLL方案以及先進的高可配置型DDR IO。與類比方案相比，全數位的Intelli PHY+DLL方案最多可節省25%的功耗，並縮小多達20%的面積，為高性能、低功耗應用提供優化的硬核方案。
關於Virage Logic的SiWare?記憶體 和SiWare? 邏輯產品
於2007年10月首次推出的65nm Siware產品線，可滿足先進工藝物理IP日益複雜的設計要求，目前在40nm工藝已有超過40家客戶。該產品線能針對先進工藝，提供優化的功耗方案，最大程度降低靜態功耗和動態功耗。Siware高密度存儲編譯器能產生最小面積的記憶體。Siware高速存儲編譯器能幫助設計者解決最具挑戰的關鍵路徑要求。工藝極限變數的編譯時間選擇，省電模式，讀寫餘量的擴展，超低工作電壓，創新的at-speed測試，能幫助SOC設計者配置出最優化方案。
所有SiWare記憶體皆完全支援Virage Logic公司的STAR存儲系統。STAR存儲系統為該公司的旗艦嵌入式存儲測試和修復系統，可並用於Virage邏輯存儲以及內部開發或者其他商業用途。為便利修復，該STAR存儲系統使用代工廠開發的存儲eFUSE以用於修復署名紀錄的存儲。STAR存儲系統採用專為先進工藝量身定制的測試演算法，以提高產品可靠性及加速產品的高良率週期。
SiWare邏輯產品線針對高性能，高密度需求，特別量身定制高性能，高密度標準單元庫。該單元庫包含超過1,100個基礎單元，提供多通道配置以及不同的極限變數，能快速達到時序終止，同時不影響面積和功耗。
Virage Logic 的邏輯庫通過對更嚴格的設計規則、更高的可製造性以及更好的電遷移可靠性標準的不斷追求而達到良率的最大化。通過統一均衡的版圖設計，使用非最小化尺寸器件使得局部的變化達到最小，並且其特性可被代工廠相應的抽取環境所精確反映。比如，能夠反映出阱鄰近效應，相鄰電路擴散間距等DFM效應。
供應情況
Virage Logic的SiWare?記憶體和SiWare? 邏輯產品將在2010年第三季度上市。在代工廠IP贊助方案的支持下，Virage Logic 將直接授權給代工廠的終端客戶使用。
Virage Logic的SiPro? MIPI 和Intelli? DDR 介面IP將在2010年第三季度初上市。
關於Virage Logic
Virage Logic是一家為複雜電路設計提供半導體矽知識產權（IP）的領先供應商。該公司擁有高度差異化的產品組合，包括處理器解決方案、介面IP解決方案、嵌入式SRAM和NVM、嵌入式測試和良率優化解決方案、邏輯庫及記憶體開發軟體。Virage Logic是備受半導體產業信賴的IP合作夥伴，有超過400家晶圓代工廠、IDM和無廠IC客戶採用其方案以達到更高性能、更低功耗、更高密度、更優化良率，縮短客戶的產品上市時間以及量產時間。欲得知更多資訊，請流覽http://www.viragelogic.com。
Virage Logic媒體聯絡:
Sabina Burns
Virage Logic Corporation
510-743-8115
sabina.burns@viragelogic.com
關於中芯國際
中芯國際積體電路製造有限公司（“中芯國際”，紐約證交所股票代碼：SMI，香港聯合交易所股票代碼：981），是世界領先的積體電路晶片代工企業之一，也是中國內地規模最大、技術最先進的積體電路晶片代工企業。中芯國際向全球客戶提供0.35微米到45納米晶片代工與技術服務。中芯國際總部位於上海，在上海建有一座300mm 晶片廠和三座200mm 晶片廠。在北京建有兩座300mm 晶片廠,在天津建有一座200mm 晶片廠，在深圳有一座200mm 晶片廠在興建中，在成都擁有一座封裝測試廠。中芯國際還在美國、歐洲、日本提供客戶服務和設立行銷辦事處，同時在香港設立了代表處。此外，中芯代成都成芯半導體製造有限公司經營管理一座200mm 晶片廠，也代武漢新芯積體電路製造有限公司經營管理一座300mm 晶片廠。詳細資訊請參考中芯國際網站 http://www.smics.com
安全港聲明（根據1995私人有價證券訴訟改革法案）
本次新聞發佈可能載有（除歷史資料外）依據1995美國私人有價證券訴訟改革法案的“安全港”條文所界定的「前瞻性陳述」。該等前瞻性陳述乃根據中芯對未來事件的現行假設、期望及預測而作出。中芯使用「相信」、「預期」、「打算」、「估計」、「期望」、「預測」或類似的用語來標識前瞻性陳述，儘管並非所有前瞻性聲明都包含這些用語。這些前瞻性聲明涉及可能導致中芯實際表現、財務狀況和經營業績與這些前瞻性聲明所表明的意見產生重大差異的已知和未知的重大風險、不確定因素和其他因素，其中包括當前全球金融危機的相關風險、未決訴訟的頒令或判決，和終端市場的財政穩定。
投資者應考慮中芯呈交予美國證券交易委員會（「證交會」）的檔資料 ，包括其於二零零九年六月二十二日以20-F表格形式呈交給證交會的年報，特別是在「風險因素」和 「管理層對財務狀況和經營業績的討論與分析」部分，並中芯不時向證交會(包括以6-K表格形式)，或聯交所呈交的其他檔。其他未知或不可預測的因素也可能對中芯的未來結果，業績或成就產生重大不利影響。鑒於這些風險，不確定性，假設及因素，本次新聞發佈中討論的前瞻性事件可能不會發生。請閣下審慎不要過分依賴這些前瞻性聲明，因其只於聲明當日有效，如果沒有標明聲明的日期，就截至本新聞發佈之日。除法律有所規定以外，中芯概不負責因新資料、未來事件或其他原因引起的任何情況，亦不擬，更新任何前瞻性陳述。
中芯國際媒體聯絡：
林學恒
中芯國際公關處
電話：+86 21 38610000-12349
郵件：Peter_LHH@smics.com
繆為夷
中芯國際公關處
電話：+8621 38610000-10088
郵件：Angela_Miao@smics.com
