測試晶片性能已達900MHz
上海和英國劍橋2012年2月27日電 /美通社亞洲/ -- 國際領先的 IC 設計公司及一站式服務供應商 -- 燦芯半導體（上海）有限公司（以下簡稱“燦芯半導體”）與中芯國際積體電路製造有限公司（“中芯國際”，紐約證券交易所：SMI，香港聯合交易所：0981.HK）及 ARM 今日聯合宣佈，採用中芯國際40納米低漏電工藝的 ARM® Cortex™-A9 MPCore™ 雙核測試晶片首次成功流片。
該測試晶片基於 ARM Cortex-A9 雙核處理器設計，採用了中芯國際的40納米低漏電工藝。處理器使用了一個集 32K I-Cache 和 32K D-Cache，128 TLB entries，NEON™ 技術，以及包括調試和追蹤技術的 CoreSight™ 設計套件。除高速標準單元庫，該測試晶片還採用高速定制記憶體和單元庫以提高性能。設計規則檢測之簽核流程（sign-off）結果已達到 900MHz（WC），預計2012年第二季度流片結束後，實測結果將達到1.0GHz。
燦芯半導體總裁兼首席執行官職春星博士指出：“ARM Cortex-A9雙核測試晶片採用了中芯國際的40納米低漏電工藝，大幅縮短了整個晶片設計時間，並且降低了開發成本與流片風險，這一系列工藝技術和設 計上的優化措施將推動高性能的 Cortex-A9處理器快速面市。我們很高興在處理器內核及其優化實現上與 ARM 及中芯國際建立緊密的合作夥伴關係，該測試晶片的順利流片再次證明了三家公司合作的成功。有了 ARM 和中芯國際的支援，我們必將為需要高性能 ARM 內核的客戶帶來巨大價值。”
中芯國際首席商務長季克非表示：“通過與 ARM 和燦芯的密切合作，中芯國際能夠為客戶提供一個快速實現從設計到生產的完整平臺。我們十分重視與燦芯、ARM 的合作夥伴關係。也正因為他們的努力，我們才能達成此40納米技術的重要里程碑，這對我們‘為客戶提供最先進的制程技術’的共同承諾是最有力的證明。中芯 國際40納米技術結合 ARM Cortex-A9處理器和燦芯的設計流程，將有助於滿足高性能和低功耗消費電子產品日益增長的需求。”
ARM 中國區總裁吳雄昂說：“在中國，ARM 堅持致力於與合作夥伴共同努力，創造一個推動創新與成長的生態系統。這個與燦芯半導體、中芯國際共同創造的重要里程碑，證明了通過我們的合作，可以承諾並最終實現以高性能、低功耗的產品，來更快地滿足市場不同領域的需求。”
關於 ARM
ARM 公司設計先進的數位產品核心應用技術，應用領域從無線、網路和消費娛樂解決方案到影像、汽車電子、安全應用及存儲裝置。 ARM 提供廣泛地產品，包括： 32位元 RISC 微處理器、圖形處理器、視頻引擎、軟體(enabling software)、單元庫、嵌入式記憶體、高速連接產品(PHY)、I/O(外設)和開發工具。ARM 公司綜合了全面設計、培訓、支援和維護方案等服務，通過協同眾多技術合作夥伴為業界領先的電子企業提供快速、可靠的完整系統解決方案。欲瞭解ARM公司詳 情，請訪問以下連接：http://www.arm.com/
關於燦芯半導體
燦芯半導體（上海）有限公司是一家 ASIC 設計以及後段一站式服務公司，為客戶提供最具成本效益的，可預測和可靠的定制化 ASIC 解決方案。與 Open-Silicon 和中芯國際成為戰略合作夥伴，燦芯採用成熟的設計流程和方法，具備先進的設計能力，提供一站式定制化 ASIC 解決方案，以一個提供低成本，低風險的成熟商業模式替代了複雜的 ASIC 設計和開發的傳統模式。
欲瞭解更多訊息，請訪問 www.britesemi.com。
關於中芯國際
中芯國際積體電路製造有限公司(“中芯國際”，紐約證交所股票代碼：SMI，香港聯合交易所股票代碼：981)，是世界領先的積體電路晶圓代工企業 之一，也是中國內地規模最大、技術最先進的積體電路晶圓代工企業。中芯國際向全球客戶提供0.35微米到40納米晶圓代工與技術服務。中芯國際總部位於上 海，在上海建有一座 300mm 晶圓廠和三座 200mm 晶圓廠。在北京建有兩座 300mm 晶圓廠，在天津建有一座 200mm 晶圓廠，在深圳有一座 200mm 晶圓廠在興建中。中芯國際還在美國、歐洲、日本和臺灣地區提供客戶服務和設立行銷辦事處，同時在香港設立了代表處。此外，中芯國際代武漢新芯積體電路製造 有限公司經營管理一座 300mm 晶圓廠。詳細資訊請參考中芯國際網站 www.smics.com 。
安全港聲明
（根據1995 私人有價證券訴訟改革法案）本次新聞發佈可能載有（除歷史資料外）依據1995 美國私人有價證券訴訟改革法案的“安全港”條文所界定的“前瞻性陳述”。該等前瞻性陳述的聲明乃根據中芯對未來事件的現行假設、期望及預測而作出。中芯使 用“相信”、“預期”、“打算”、“估計”、“期望”、“預測”或類似的用語來標識前瞻性陳述，儘管並非所有前瞻性聲明都包含這些用語。這些前瞻性聲明涉 及可能導致中芯實際表現、財務狀況和經營業績與這些前瞻性聲明所表明的意見產生重大差異的已知和未知的重大風險、不確定因素和其他因素，當前全球金融危機 的相關風險、未決訴訟的頒令或判決，和終端市場的財政穩定。投資者應考慮中芯呈交予美國證券交易委員會（“證交會”）的檔資料，包括其於二零一一年六月 二十八日以20-F 表格形式呈交給證交會的年報，特別是在“風險因素”和“管理層對財務狀況和經營業績的討論與分析”部分，並中芯不時向證交會(包括以 6-K 表格形式)，或聯交所呈交的其他檔。其他未知或不可預測的因素也可能對中芯的未來結果，業績或成就產生重大不利影響。鑒於這些風險，不確定性，假設及因 素本次新聞發佈中討論的前瞻性事件可能不會發生。請閣下審慎不要過分依賴這些前瞻性聲明，因其只於聲明當日有效，如果沒有標明聲明的日期，就截至本新聞發 布之日。除法律有所規定以外，中芯概不負責因新資料、未來事件或其他原因引起的任何情況，亦不擬更新任何前瞻性陳述。
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上海和英國劍橋2012年2月27日電 /美通社亞洲/ -- 國際領先的 IC 設計公司及一站式服務供應商 -- 燦芯半導體（上海）有限公司（以下簡稱“燦芯半導體”）與中芯國際積體電路製造有限公司（“中芯國際”，紐約證券交易所：SMI，香港聯合交易所：0981.HK）及 ARM 今日聯合宣佈，採用中芯國際40納米低漏電工藝的 ARM® Cortex™-A9 MPCore™ 雙核測試晶片首次成功流片。
該測試晶片基於 ARM Cortex-A9 雙核處理器設計，採用了中芯國際的40納米低漏電工藝。處理器使用了一個集 32K I-Cache 和 32K D-Cache，128 TLB entries，NEON™ 技術，以及包括調試和追蹤技術的 CoreSight™ 設計套件。除高速標準單元庫，該測試晶片還採用高速定制記憶體和單元庫以提高性能。設計規則檢測之簽核流程（sign-off）結果已達到 900MHz（WC），預計2012年第二季度流片結束後，實測結果將達到1.0GHz。
燦芯半導體總裁兼首席執行官職春星博士指出：“ARM Cortex-A9雙核測試晶片採用了中芯國際的40納米低漏電工藝，大幅縮短了整個晶片設計時間，並且降低了開發成本與流片風險，這一系列工藝技術和設 計上的優化措施將推動高性能的 Cortex-A9處理器快速面市。我們很高興在處理器內核及其優化實現上與 ARM 及中芯國際建立緊密的合作夥伴關係，該測試晶片的順利流片再次證明了三家公司合作的成功。有了 ARM 和中芯國際的支援，我們必將為需要高性能 ARM 內核的客戶帶來巨大價值。”
中芯國際首席商務長季克非表示：“通過與 ARM 和燦芯的密切合作，中芯國際能夠為客戶提供一個快速實現從設計到生產的完整平臺。我們十分重視與燦芯、ARM 的合作夥伴關係。也正因為他們的努力，我們才能達成此40納米技術的重要里程碑，這對我們‘為客戶提供最先進的制程技術’的共同承諾是最有力的證明。中芯 國際40納米技術結合 ARM Cortex-A9處理器和燦芯的設計流程，將有助於滿足高性能和低功耗消費電子產品日益增長的需求。”
ARM 中國區總裁吳雄昂說：“在中國，ARM 堅持致力於與合作夥伴共同努力，創造一個推動創新與成長的生態系統。這個與燦芯半導體、中芯國際共同創造的重要里程碑，證明了通過我們的合作，可以承諾並最終實現以高性能、低功耗的產品，來更快地滿足市場不同領域的需求。”
關於 ARM
ARM 公司設計先進的數位產品核心應用技術，應用領域從無線、網路和消費娛樂解決方案到影像、汽車電子、安全應用及存儲裝置。 ARM 提供廣泛地產品，包括： 32位元 RISC 微處理器、圖形處理器、視頻引擎、軟體(enabling software)、單元庫、嵌入式記憶體、高速連接產品(PHY)、I/O(外設)和開發工具。ARM 公司綜合了全面設計、培訓、支援和維護方案等服務，通過協同眾多技術合作夥伴為業界領先的電子企業提供快速、可靠的完整系統解決方案。欲瞭解ARM公司詳 情，請訪問以下連接：http://www.arm.com/
關於燦芯半導體
燦芯半導體（上海）有限公司是一家 ASIC 設計以及後段一站式服務公司，為客戶提供最具成本效益的，可預測和可靠的定制化 ASIC 解決方案。與 Open-Silicon 和中芯國際成為戰略合作夥伴，燦芯採用成熟的設計流程和方法，具備先進的設計能力，提供一站式定制化 ASIC 解決方案，以一個提供低成本，低風險的成熟商業模式替代了複雜的 ASIC 設計和開發的傳統模式。
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關於中芯國際
中芯國際積體電路製造有限公司(“中芯國際”，紐約證交所股票代碼：SMI，香港聯合交易所股票代碼：981)，是世界領先的積體電路晶圓代工企業 之一，也是中國內地規模最大、技術最先進的積體電路晶圓代工企業。中芯國際向全球客戶提供0.35微米到40納米晶圓代工與技術服務。中芯國際總部位於上 海，在上海建有一座 300mm 晶圓廠和三座 200mm 晶圓廠。在北京建有兩座 300mm 晶圓廠，在天津建有一座 200mm 晶圓廠，在深圳有一座 200mm 晶圓廠在興建中。中芯國際還在美國、歐洲、日本和臺灣地區提供客戶服務和設立行銷辦事處，同時在香港設立了代表處。此外，中芯國際代武漢新芯積體電路製造 有限公司經營管理一座 300mm 晶圓廠。詳細資訊請參考中芯國際網站 www.smics.com 。
安全港聲明
（根據1995 私人有價證券訴訟改革法案）本次新聞發佈可能載有（除歷史資料外）依據1995 美國私人有價證券訴訟改革法案的“安全港”條文所界定的“前瞻性陳述”。該等前瞻性陳述的聲明乃根據中芯對未來事件的現行假設、期望及預測而作出。中芯使 用“相信”、“預期”、“打算”、“估計”、“期望”、“預測”或類似的用語來標識前瞻性陳述，儘管並非所有前瞻性聲明都包含這些用語。這些前瞻性聲明涉 及可能導致中芯實際表現、財務狀況和經營業績與這些前瞻性聲明所表明的意見產生重大差異的已知和未知的重大風險、不確定因素和其他因素，當前全球金融危機 的相關風險、未決訴訟的頒令或判決，和終端市場的財政穩定。投資者應考慮中芯呈交予美國證券交易委員會（“證交會”）的檔資料，包括其於二零一一年六月 二十八日以20-F 表格形式呈交給證交會的年報，特別是在“風險因素”和“管理層對財務狀況和經營業績的討論與分析”部分，並中芯不時向證交會(包括以 6-K 表格形式)，或聯交所呈交的其他檔。其他未知或不可預測的因素也可能對中芯的未來結果，業績或成就產生重大不利影響。鑒於這些風險，不確定性，假設及因 素本次新聞發佈中討論的前瞻性事件可能不會發生。請閣下審慎不要過分依賴這些前瞻性聲明，因其只於聲明當日有效，如果沒有標明聲明的日期，就截至本新聞發 布之日。除法律有所規定以外，中芯概不負責因新資料、未來事件或其他原因引起的任何情況，亦不擬更新任何前瞻性陳述。
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